Samsung dan SK Hynix kini tidak lagi sekadar bersaing soal kapasitas produksi memori. Di tengah ledakan industri AI global, keduanya mulai bertarung menentukan fondasi teknologi DRAM generasi berikutnya. Persaingan ini menjadi semakin krusial karena AI data center modern tidak hanya haus GPU, tetapi juga sangat bergantung pada pasokan HBM dan DRAM berkecepatan tinggi yang kini mulai memasuki fase kritis. Lonjakan kebutuhan AI membuat rantai pasok memori semakin tertekan. HBM, DRAM, hingga NAND kini berebut material produksi yang sama, mulai dari wafer silikon sampai bahan kimia litografi. Situasi ini membuat produsen memori harus mencari cara baru untuk meningkatkan densitas chip tanpa menghancurkan efisiensi produksi. Samsung dilaporkan mengambil pendekatan yang cukup agresif dengan mempertimbangkan penggunaan teknologi Gate-All-Around FET atau GAAFET untuk DRAM generasi baru. Teknologi ini sebelumnya populer di prosesor modern karena mampu meningkatkan efisiensi dan kontrol aru...

