TSMC resmi mengumumkan dimulainya produksi massal chip 2 nm (N2) di Fab 22 yang berlokasi di Kaohsiung, Taiwan bagian selatan. Fasilitas ini menjadi pabrik TSMC pertama yang beroperasi sejauh ini di wilayah selatan Taiwan, sekaligus menandai fase awal dari rencana ambisius pembangunan hingga lima tahap fab di lokasi tersebut. Fab 22 menggunakan wafer 300 mm dan menjadi pabrik pertama TSMC yang mengimplementasikan teknologi transistor nanosheet generasi pertama pada node N2. Peralihan ke arsitektur nanosheet ini merupakan langkah strategis penting, mengingat teknologi tersebut digadang-gadang sebagai penerus FinFET untuk menghadapi tantangan skala di bawah 3 nm. TSMC mengklaim node N2 memberikan lompatan penuh dalam hal performa dan efisiensi daya, meski pembanding yang digunakan adalah node N3E (generasi kedua 3 nm), bukan N3 generasi awal. Hal ini mengindikasikan bahwa peningkatan N2 sedikit melampaui standar “full node jump” yang biasa diterapkan TSMC. Secara teknis, node N2 men...

