CXMT semakin agresif mengembangkan teknologi DRAM untuk mengejar produsen memori terkemuka seperti Samsung, SK hynix, dan Micron. Perusahaan memori asal China tersebut diketahui telah menerapkan teknologi High-k Metal Gate (HKMG) pada proses G4 serta produk LPDDR5X. Temuan tersebut berasal dari perusahaan analisis semikonduktor TechInsights dan dilaporkan oleh ZDNET. Penerapan HKMG menjadi langkah penting bagi CXMT karena proses penskalaan DRAM semakin sulit ketika lapisan isolator berbasis silikon dioksida dibuat semakin tipis. Pada skala nanometer, lapisan yang terlalu tipis dapat meningkatkan kebocoran arus. Kondisi tersebut tidak hanya membuang daya, tetapi juga menyulitkan produsen untuk terus mengecilkan ukuran transistor dan sel memori. HKMG Bantu Tekan Kebocoran Arus Teknologi HKMG menggantikan lapisan isolator tradisional berbasis silikon dioksida dengan material high-k, seperti hafnium oxide. Istilah “k” mengacu pada konstanta dielektrik, yang menggambarkan kemampuan suatu ma...

