CXMT semakin agresif mengembangkan teknologi DRAM untuk mengejar produsen memori terkemuka seperti Samsung, SK hynix, dan Micron. Perusahaan memori asal China tersebut diketahui telah menerapkan teknologi High-k Metal Gate (HKMG) pada proses G4 serta produk LPDDR5X.
Temuan tersebut berasal dari perusahaan analisis semikonduktor TechInsights dan dilaporkan oleh ZDNET. Penerapan HKMG menjadi langkah penting bagi CXMT karena proses penskalaan DRAM semakin sulit ketika lapisan isolator berbasis silikon dioksida dibuat semakin tipis.
Pada skala nanometer, lapisan yang terlalu tipis dapat meningkatkan kebocoran arus. Kondisi tersebut tidak hanya membuang daya, tetapi juga menyulitkan produsen untuk terus mengecilkan ukuran transistor dan sel memori.
HKMG Bantu Tekan Kebocoran Arus
Teknologi HKMG menggantikan lapisan isolator tradisional berbasis silikon dioksida dengan material high-k, seperti hafnium oxide. Istilah “k” mengacu pada konstanta dielektrik, yang menggambarkan kemampuan suatu material dalam menyimpan muatan listrik.
Hafnium oxide mampu menyimpan lebih banyak muatan pada tegangan yang sama dibandingkan silikon dioksida. Karakteristik tersebut memungkinkan transistor berukuran lebih kecil tetap bekerja secara efisien.
HKMG juga menggantikan elektroda gate berbasis polysilicon dengan struktur metal gate. Perubahan ini membantu mengurangi efek polysilicon depletion, yaitu area listrik yang tidak efektif pada transistor dan dapat mengurangi performanya.
Bagi DRAM, penerapan teknologi tersebut berpotensi menghasilkan kebocoran arus yang lebih rendah, efisiensi daya yang lebih baik, serta kemampuan switching transistor yang lebih cepat.
CXMT Mulai Dekati Pemain Besar
Proses G4 CXMT secara luas dikategorikan sebagai node kelas 16nm. Posisi ini masih berada di belakang teknologi yang digunakan oleh produsen DRAM terdepan, tetapi perkembangan tersebut menunjukkan bahwa CXMT terus mempersempit kesenjangan teknologi.
ZDNET Korea melaporkan bahwa CXMT telah mengomersialkan produk DDR5 dan LPDDR5 menggunakan proses G4. TechInsights juga menilai CXMT masih sekitar dua generasi di belakang produsen terkemuka, meskipun perusahaan terus mengembangkan roadmap memori berbandwidth tinggi atau HBM.
Perkembangan HBM menjadi penting karena jenis memori ini banyak digunakan dalam akselerator AI dan GPU berperforma tinggi. Jika CXMT mampu meningkatkan kemampuan produksinya, perusahaan tersebut tidak hanya akan menjadi pemain di pasar DRAM konvensional, tetapi juga berpotensi memasuki rantai pasok memori untuk komputasi AI.
CXMT Mulai Masuk ke HBM
CXMT dilaporkan sedang melakukan risk production HBM2E menggunakan proses DRAM G3 yang berada di kelas 18nm. Perusahaan tersebut juga disebut telah melakukan sampling HBM3 menggunakan proses G4.
Langkah ini menunjukkan bahwa CXMT tidak lagi sekadar berfokus pada produksi memori komoditas berharga murah. HBM memiliki tuntutan teknologi, packaging, bandwidth, dan yield yang jauh lebih tinggi dibandingkan DRAM konvensional.
TechInsights menilai CXMT masih tertinggal sekitar dua generasi dari pemimpin industri. Namun, kemampuan perusahaan untuk bergerak dari DDR5 dan LPDDR5 menuju HBM menunjukkan laju pengembangan yang patut diperhatikan.
CXMT juga tengah mengembangkan proses G5 yang disebut berada di kelas 15nm. Jika berhasil mencapai tahap produksi massal dengan yield yang kompetitif, node tersebut dapat semakin memperkecil jarak antara CXMT dan produsen DRAM papan atas.
Samsung dan SK hynix Tidak Tinggal Diam
Persaingan tidak berhenti pada CXMT. Samsung, SK hynix, dan Micron juga terus mengembangkan teknologi DRAM generasi berikutnya untuk mempertahankan keunggulan mereka.
Ketiga produsen tersebut bergerak menuju teknologi DRAM sub-10nm D0a, desain sel 4F², serta pendekatan 3D DRAM. Tujuannya sama: meningkatkan kepadatan sel memori dan kapasitas per wafer tanpa membuat proses manufaktur semakin sulit dikendalikan.
Bagi CXMT, penerapan HKMG pada G4 menjadi salah satu tanda bahwa perusahaan China tersebut mulai mengadopsi teknologi transistor yang lebih maju untuk meningkatkan efisiensi dan skalabilitas DRAM.
Perusahaan memang masih memiliki jarak teknologi dengan Samsung, SK hynix, dan Micron. Namun, kombinasi pengembangan node G5, DDR5, LPDDR5X, serta roadmap HBM membuat CXMT semakin sulit dipandang sebelah mata.
Jika perkembangan tersebut terus berlanjut, persaingan industri DRAM global tidak lagi hanya ditentukan oleh tiga nama besar. CXMT perlahan membangun kemampuan yang dapat membuat peta persaingan memori global menjadi jauh lebih kompetitif.