CXMT semakin agresif mengembangkan teknologi DRAM untuk mengejar produsen memori terkemuka seperti Samsung, SK hynix, dan Micron. Perusahaan memori asal China tersebut diketahui telah menerapkan teknologi High-k Metal Gate (HKMG) pada proses G4 serta produk LPDDR5X. Temuan tersebut berasal dari perusahaan analisis semikonduktor TechInsights dan dilaporkan oleh ZDNET. Penerapan HKMG menjadi langkah penting bagi CXMT karena proses penskalaan DRAM semakin sulit ketika lapisan isolator berbasis silikon dioksida dibuat semakin tipis. Pada skala nanometer, lapisan yang terlalu tipis dapat meningkatkan kebocoran arus. Kondisi tersebut tidak hanya membuang daya, tetapi juga menyulitkan produsen untuk terus mengecilkan ukuran transistor dan sel memori. HKMG Bantu Tekan Kebocoran Arus Teknologi HKMG menggantikan lapisan isolator tradisional berbasis silikon dioksida dengan material high-k, seperti hafnium oxide. Istilah “k” mengacu pada konstanta dielektrik, yang menggambarkan kemampuan suatu ma...

Produsen memori asal Tiongkok, ChangXin Memory Technology (CXMT), dilaporkan berada dalam posisi yang semakin kuat di tengah krisis pasokan DRAM global. Permintaan yang terus melonjak membuat kapasitas produksi perusahaan tersebut dikabarkan telah habis dipesan hingga akhir 2027.  Kabar ini menandakan bahwa tekanan terhadap industri memori masih belum mereda. Namun di sisi lain, produsen RAM asal China tersebut mendapatkan peluang pasar. Laporan DigiTimes yang mengutip sumber rantai pasok menyebutkan seluruh produsen PC besar telah menyelesaikan proses validasi modul DRAM buatan CXMT. Namun, memperoleh pasokan kini menjadi tantangan tersendiri.  CXMT disebut memprioritaskan alokasi untuk pelanggan terbesar seperti Dell, HP, Lenovo, dan Apple, sementara vendor PC berskala lebih kecil berisiko kesulitan mendapatkan kuota pasokan. Lonjakan permintaan ini dipicu oleh dua faktor utama. Pertama, membaiknya hubungan Amerika Serikat dan Tiongkok membuat pemerintah AS dikabarkan menund...