Samsung dan SK Hynix kini tidak lagi sekadar bersaing soal kapasitas produksi memori. Di tengah ledakan industri AI global, keduanya mulai bertarung menentukan fondasi teknologi DRAM generasi berikutnya.
Persaingan ini menjadi semakin krusial karena AI data center modern tidak hanya haus GPU, tetapi juga sangat bergantung pada pasokan HBM dan DRAM berkecepatan tinggi yang kini mulai memasuki fase kritis.
Lonjakan kebutuhan AI membuat rantai pasok memori semakin tertekan. HBM, DRAM, hingga NAND kini berebut material produksi yang sama, mulai dari wafer silikon sampai bahan kimia litografi. Situasi ini membuat produsen memori harus mencari cara baru untuk meningkatkan densitas chip tanpa menghancurkan efisiensi produksi.
Masalahnya, DRAM jauh lebih rumit dibanding CPU. Sebuah sel DRAM tidak hanya membutuhkan transistor, tetapi juga kapasitor untuk menyimpan data. Ketika ukuran node terus diperkecil hingga di bawah 10nm, kapasitor semakin sulit mempertahankan kapasitas penyimpanan listrik yang stabil. Inilah tantangan besar industri memori modern.
Samsung tampaknya mencoba membawa pendekatan manufaktur NAND ke dunia DRAM, termasuk kemungkinan menempatkan sirkuit read/write di bawah lapisan memori utama demi menghemat ruang. Strategi ini berpotensi meningkatkan densitas chip secara signifikan, tetapi juga memperbesar kompleksitas produksi dan risiko yield rendah.
Di sisi lain, SK hynix mengambil pendekatan berbeda lewat desain 4F². Metode ini menggunakan struktur transistor vertikal dengan material gate yang membungkus transistor, sementara jalur penerima data ditempatkan di bawah pilar transistor. Pendekatan ini dianggap lebih realistis untuk menjaga stabilitas DRAM ketika node semakin kecil.
Persaingan keduanya menunjukkan satu hal penting, industri AI mulai mengubah DRAM menjadi medan perang teknologi baru. Siapa pun yang berhasil menjadikan arsitekturnya sebagai standar industri kemungkinan akan menguasai rantai pasok memori AI selama bertahun-tahun ke depan.